闪存芯片共16颗，正反面各8颗。每颗内封装了两个die，也就是单颗容量16GB。产品编号为29F16B08CCMF2，其中第12位代表工艺：F 20nm、E 25nm、D 34nm。 U盘之家
Intel宣称20nm闪存的编程/擦写循环和25nm的一样也是3000次。一般来说，这个是很难实际验证的，较真的话得花几个星期乃至数月。幸运的是，Intel的新版SSD Toolbox可以报告闪存写入量和剩余寿命比例，只要看S.M.A.R.T.属性里的F9 Total NAND Writes(闪存写入总量)、E9 Media Wearout Indicator(媒体损耗指示器)即可，后者的初始值为100，寿命耗尽的时候就是0了。 U盘之家
AnandTech在进行完所有常规测试后发现，MWI只有92了，而此时才写入了不过1.2TB数据。Intel的固态硬盘样品从来没有这么低过，原因可能有三：固件bug、出厂前已经进行了密集测试、可靠性太差。 www.upan.cc
为了赶在正式发布前尽量写入更多数据，测试人员首先填满了不可压缩数据，然后以32的队列深度写入不可压缩的4KB随机数据。SandForce主控会进行实时数据压缩和复制，所以使用不可压缩数据是短时间内考验NAND闪存的最佳方式。
经过11个小时、另外3.8TB的数据写入之后，MWI掉到了91。作为对比，SSD 330 60GB写入了7.6TB之后仍然停留在100。SSD 335 240GB理论上应该更可靠才对。 优盘之家
继续测试，又经过了105个小时，总计写入了37.8TB数据之后，WMV只剩下了79，换句话说就是用掉了13％的编程/擦写循环。
照此趋势，只要250TB数据的写入就能把MWI弄到0，只相当于不到1000次编程/擦写循环，不足理论寿命的三分之一。
AnandTech将此反馈给Intel，后者也是大吃一惊，表示送测样品是一切正常的，没有任何问题，同时也确认SSD 335的确应该有3000次编程/擦写循环的寿命。Intel收走了样品，并说会进行深入检查。 优盘之家
即便都标称3000次编程/擦写循环，20nm闪存如果寿命略短于25nm的也是可以理解的，毕竟25nm已经很成熟，20nm才刚起步。记住，标称的编程/擦写循环次数是闪存最起码应该达到的，事实上应该更长才对。
至于究竟发生了什么，只能等待更多测试之后再下结论了，希望只是个体缺陷或者固件问题。
【随机、持续读写测试】 www.upan.cc
4KB随机读取：这个从来不是SandForce的长项，SSD 335甚至还远不如SSD 330 优盘之家
4KB随机写入：仍然比SSD 520/330差远了 U盘之家
4KB随机写入(队列深度32)：这次的差距到不大
持续读取：几乎和SSD 330完全相同
持续写入：又一次败给了SSD 330，但注意使用不可压缩数据的时候超过了SSD 520以及海盗船Force GS
AS-SSD不可压缩持续读取：这方面不错，主流水准
AS-SSD不可压缩持续写入：创下了SandForce主控在这个项目上的新高，领先SSD 330差不多一半，对比SSD 520也超过了10％
持续读取与传输尺寸：不敌SSD 520/330，尤其是小尺寸只略好于SSD 320。当然了，小尺寸IO从来都不是SandForce所擅长的 U盘之家
持续写入与传输尺寸：还是比不上前辈，但总体稍好了一些
【AnandTech存储测试套装】 U盘之家
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Intel SSD335固态硬盘评测(20n：http://www.upan.cc/ssd/pingce/2648.html