巴塞罗那的WMC 2011世界通信大会上,SanDisk宣布了下一代iNAND、iNAND Ultra嵌入式闪存驱动器(EFD),封装体积更加小巧。SanDisk的新一代iNAND嵌入式闪存芯片采用24nm新工艺制造,结合新的封装技术,封装体积减少到仅仅13×11.5×1.0毫米,iNAND EFD驱动器封装尺寸则是JEDEC标准的12×16毫米,更适合打造轻薄型智能手机、平板机产品,容量最大8GB。 优盘之家
iNAND EFD基于SanDisk X3 NAND闪存技术,每单元存储三比特数据,iNAND Ultra EFD则基于X2 MLC NAND闪存技术,容量最少2GB,最大64GB,而上代产品最大才不过16GB。
SanDisk将从2011年第三季度开始出货新一代iNAND嵌入式闪存芯片和驱动器。
SanDisk宣布下一代iNAND嵌入式闪存:https://www.upan.cc/info/business/2011/youpan_1533.html