“SLC”英文全称“Single-Level Cell”（即单层式储存），又名“1bit/cell”，主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于“Silicon efficiency”的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。

 

 

 

 

“MLC”英文全称“Multi-Level Cell”（即多层式储存），又名“2bit/cell”，主要由东芝、Renesas、三星使用。英特尔（Intel）在1997年9月最先开发出MLC，它作用是将两个单位的信息存入一个FloatingGate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。

 

 

 

 

“TLC”英文全称“Triple-Level Cell”，又名“3bit/cell”，也有Flash厂商称它为“8LC”，TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。

 

 

 

目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：采用H2testw v1.4测试，三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。

 

 

 

 

SLC闪存利用正、负两种电荷  一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。

 

MLC闪存利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC（容量大了一倍，寿命缩短为1/10）。

 

TLC闪存利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC（容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20）。

 

 

 

鉴于目前u盘市场主要以SLC芯片和MLC芯片储存为主，就让我们多了解下SLC和MLC储存吧。

 

SLC的架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次存储4个值以上，所以MLC架构的储存密度较高，而且还可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与品质优势。

 

MLC和SLC相比较，MLC生产成本要低，且容量大。要是经过改进的话，MLC的读写性能还会进一步地提升！

 

 

 

MLC架构有不少缺点，首当其冲的是使用寿命比SLC要短，MLC架构只能够承受1万次的擦写，而SLC架构却可以承受10万次的擦写。

 

其次就是存取速度慢，在当前的技术条件下，MLC芯片理论上存取速度只能达到6MB左右，而SLC架构的存取速度要比MLC架构的存取速度快三倍以上呢！

 

还有就是MLC的电流消耗比SLC高，如果在同等使用条件下MLC跟SLC相比的话，MLC的电流消耗要比SLC的电流消耗多出百分之十五左右。

 

总结：虽然MLC跟SLC相比，MLC缺点要多，但在单颗芯片容量方面，当前MLC还是占据绝对优势的。因为MLC架构和成本都占有绝对优势，能够满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。

多多了解U盘芯片，绝对会有所帮助的。