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Sm2246en闪光的F / W和ISP发布信息–n1126f www.upan.cc
景区简介
本文档的目的是提供在sm2246en F / W和ISP发布信息发布信息
固定覆盖
■代表“新修”或“新”的范畴
□表示“没有更新”的范畴
■仪FW■控制器ISP
□产量问题■产量问题
■闪光问题■Flash问题
□SLC闪存□SLC闪存
□三星闪光灯□三星闪光灯
□东芝/闪迪东芝/闪迪闪光灯闪光□
□英特尔/英特尔/微米微米闪存□闪光
□海力士闪存□海力士闪存
□别人□别人
■MLC闪存■MLC闪存
■三星闪光灯■三星闪光灯
■东芝/闪迪东芝/闪迪闪光灯闪光■
■英特尔/英特尔/微米微米闪存■闪光
■海力士闪存■海力士闪存
□兼容性问题□兼容性问题
□测试的bug修复■ISP的bug修复
■AP的bug修复和新功能□特征增强
■特征增强
ISP的修订历史
版MP工具版本ISP版本说明
1。改进的智能属性重置：ID 0xa4 ~ 0xa7，
0xaf，0xc7和0xf5
2返回的状态将包括
纯零计数如果门槛
不超过
擦除计数如果门槛
超过
n1126k o0522a n1126k 3。固定装饰的bug：当LBA修剪命令
高于总LBA，这个命令应该
返回
4，当处理命令被处理时，打开LED关闭
5。解决睡眠问题：FLASH DRAM备份设备
重试FIFO不应重叠的DRAM
数据
6、解决备用块运行问题：连续
可以使用地图块
1，修复溢出问题的阅读，重试表，海力士
NAND闪存的使用。
n1126f o0327a n1126f 2。固定ncq-03 U-LINK脚本问题
3支持闪迪1znm闪光。
4。支持现代16nm f-die闪光。
5。添加使DRAM SRT CID选项特征。
n1114h n1114a n1114h 1 Fix DEVSLP问题。
2。确定微代码下载超时的问题。
n1114b n1114a n1114b 1。支持4die / 1ce闪光
2，支持序列号换新”命令
3、支持磁盘自销毁功能（清除所有磁盘数据通过
GPIO）
4，扩大#坏块组合提高到2048
1tb初始化
5。修改前的坏块阈值配置
0到255
6修正命令和潜在命令的错误修复
超时/中止。
7，支持三星k9qdgd8u5m
n1007c n0918a n1007c 1。支持TSB 15nm MLC。
2。支持消毒（清除所有的块特征）。
3、提高背景地图的命令响应时间
重建。
4。提高MacBook安装兼容性。
5。提高测流在原来的案例参考
和运行时坏。
6、增强错误/事件日志的结构和内容。
7。使CDI中断IFF DEVSLP已配置
通过CID和主机启用。
8。解决错误/问题NCQ读取流，闪光灯设置在
DEVSLP简历，修剪命令处理程序失败
交换活动块的处理。
n0815b n0815a n0815b 1。固定程序失败纯SLC闪存的处理。
2。改进解决现代16nm阅读障碍
MLC闪存。
3，改进存储WPRO启动时间的速度
页面索引信息。
4程序失败的错误修复。
5。确定现场超时问题512GB/1TB的磁盘。
6 LTS和RDT的bug修复。
7。前测故障三星21nm Flash的bug修复。
8、对内部随机读取性能的改进
交织模式。
9。整盘SLC模式微米Flash支持。
n0711a n0704b n0711a 1。固定缓存程序错误自n0704a。
2修复程序不处理错误的内部交织模式
因为n0704a
3。解决IPM问题自FW n0516d自动
改变部分中如果启用了自动响应。
4、将坏块组合数从512扩展到1024。
5、决定在现代阅读重试计数通过使用选择命令
而不是预定义值MP包。
6支持内部交织。
7、支持程序故障处理
8修改马维尔阵列的性能的微调流
炸薯条
9。支持现代16nm 64gb MLC：h27qcg8t2e5r，
h27qeg8vee5r
10。支持现代16nm 128gb MLC：h27qeg8udb8r，
h27qfg8veb8r-bcf，h27q1t8yeb9r（CS样品
后）
n0530c n0529a n0530c 1。ISP的bug修复：擦除计数后做安全错过比赛
擦除
2。Pretest Bug修正：负载l85a回收FLASH原坏虫
发现在n0530a
3。解决IPM问题自fwn0516d，不能进入
IPM模式正常。
n0530a n0529a n0530a 1。支持自动部分沉睡在响应
2、填写有效页面的有效页面字线
立即接收待机和交换活动块
上电后
20、每3分钟保存一个智能属性
4、当接收到立即待机时，保存智能信息
5、微调一个读缓存判断
n0402c n0415a n0402c 1。支持4ch8way交错512page /块闪光
（l85a / l95b）
2支持1TB容量。
3。固定DEVSLP bug
4、支持设备进入睡眠不打盹
模式。（CID 0x4d。bit7）
5。固定ISP错误偶尔挂如果断电而
安全擦除
6、修复了构建错误的映射表的错误
从设备休眠恢复
7。RDT更新：显示错误消息在MP结果失败
窗口
8。更新l95b ECC以60B章数据库
n0307a n0307a n0307a 1。加快启动时间节省备用位图表，和
缩短映射表复位时间。
2、禁用读重试后重新发布闪存多机读。
3、在读重试时，发出一个平面上的啤酒，而不是多平面。
4。延长啤酒，CLE和写脉冲宽度设定
在江户模式序列读取重试。
5。启用硬件写保护。（GPIO P1。bit1）
6。使快速删除。（GPIO P1。bit5）
7。固定智能值（属性ID 0x05）不匹配的问题
8。固定markbad bug。（n0227a问题从VCT）
9、修复智能信息错过匹配问题。
10。修读写日志的DMA扩展命令的bug。
11。固定RDT固件不能识别MP供应商命令
问题。
12支持16k 4plane闪光。
n0103b n0114a n0103b 1。修复bug发布三星19nm读试命令
由江户模式
2。支持DMA读取日志扩展和DMA写日志扩展。
3。支持DMA读写缓冲DMA缓冲区。
4马克坏块由单块，而不是超级块和
使用休息好块重新组合超级块。
5。支持DMA下载微码
6。在前添加的全尺寸试验DRAM
m1213c m1226a m1213c 1。支持微米/英特尔l85a，l84c，
2。支持微米/英特尔l95b
3，支持三星19nm MLC
4、修复寻找和读取验证部门的命令错误
5支持PIO模式2多个。
6。固定SCT写同样的错误
7加强现场保护。
8、写性能增强
9。固定的whck修剪试验FW的bug
10。减少DEVSLP电源消耗
11。修读试虫微米/英特尔NAND
12、支持下载微代码
m1024c m1024a m1024c 1。固定ATact寻求阅读验证部门命令的bug。
2，修复错误的缩小一些交织
3、添加质量控制工具功能
1011A m1009b 1011A 1。提高Ulink检验ATA命令支持
2禁用所有闪存行政长官如果通道空闲。
3、修复一个电源循环的错误
4。固定SN号的问题时，keepsn不是20字节长度。
m1003b m1003a m1003b 1。固定im20nm重试错误并添加更多选项
重试.在重试序列之前发出闪光复位命令。
2固定在4ch8way建立链接错误。
3固定运动功能缺陷。
4禁用DRAM补偿。
5。较低的施密特触发Windows）
6。修正寻求，读取验证部门，和RW多命令
缺陷
7、修复一个磨损的升级错误
8支持三星和海力士DRAM少。
9，支持其固定RDT功能缺陷。添加循环
期权在RDT
10。添加micron20nm SLC读取重试表。
11。加入DRAM 380mhz选项。
12、使写缓存作为一个默认。
13。修改DRAM VDT 1.4为1.3V。
m0808a m0808b m0808a 1。修复东芝与闪迪的闪存读取重试错误。
2。提高SATA错误处理
3、如果空闲块的数量，切换到虚拟写
降为零，不标记坏块
4。修改WAF智能指挥
5、将日志页的数量扩展到32个
6。确定m0719强大的页面大小的bug
7。修复前的错误，手动切换闪光。
8。添加RDT功能。
9。不要复位DRAM简历时
m0719a m0716b m0719a 1。支持三星21nm k9gcg MLC
2，支持东芝19nm 16kb 2plane MLC
3。支持现代h27qcgdt2blr，h27qegdveblr
4。支持微米l84a ONFI MLC
5。支持微米l85a ONFI MLC
慧荣量产工具SM2246ENAA芯片MPTo：http://www.upan.cc/tools/mass/SMI/4967.html
