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英特尔/美光25纳米工艺晶圆工厂(3)

2010-02-20 13:00来源:未知编辑:冰幻 浏览量:
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    晶圆上的芯片 300mm晶圆 每片闪存颗粒die容量为8GB(每格2GB),面积167平方毫米。 Intel副总裁,NAND闪存业务总经理Tom Rampone手持25nm颗粒 尺寸对比 从左到右

       Intel/美光25nm工艺晶圆厂一日游
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    Intel副总裁,NAND闪存业务总经理Tom Rampone手持25nm颗粒 优盘之家

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    尺寸对比 优盘之家

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      从左到右分别是:

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      2003年130nm工艺128MB,2005年90nm工艺512MB,2007年50nm工艺1GB,2009年34nm工艺4GB以及现在的25nm工艺8GB闪存。最右侧是标准的TSOP闪存封装尺寸。

    Intel/美光25nm工艺晶圆厂一日游

      使用25nm工艺闪存,只需要单die芯片即可造出Class 10级SD卡。Intel计划,今年将基于该闪存造出最大600GB的固态硬盘,而美光甚至计划最大推出1TB ssd

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